硅烯及其他翘曲蜂窝晶格中的动态极化函数、等离激元与屏蔽

我们探讨了表现为翘曲蜂窝晶格（例如硅烯、锗烯等）的类石墨烯二维 Kane-Mele 拓扑绝缘体的介电性质。特别关注了亚晶格之间的在位势差 ($\Delta_z$) 的影响。我们给出了动态极化函数实部和虚部的结果。我们表明这些结果显示了三种机制（拓扑绝缘体、谷 - 自旋极化金属和平凡带绝缘体）的特征，并可用于提取本征自旋轨道耦合强度的信息。我们研究了逆介电函数并提供了等离激元支的数值结果。我们讨论了等离激元随亚晶格势差的变化行为，并表明当 $\Delta_z$ 变化时等离激元支的行为取决于化学势相对于能隙的位置。讨论了静态极化，并提供了带电杂质屏蔽的数值结果。我们观察到有效势中存在一种依赖于 $\Delta_z$ 的拍频现象。