二维硅烯外场中丰富的电子激发
介观与纳米尺度物理
2015-10-07 v1
摘要
利用Lindhard介电函数和一种新开发的广义紧束缚模型(G-TBM)研究了单层硅烯中的电子库仑激发。G-TBM同时包含原子相互作用、自旋轨道耦合、库仑相互作用以及在任意化学势下的各种外场。我们展示了电可调磁等离激元和等离激元行为的强磁场调制的计算结果。通过确定介电函数中的主导跃迁通道并理解多重相互作用（本征与外场）下的电子行为，很好地解释了这两个引人入胜的现象。利用动量转移和费米能量进一步展示了等离激元特征的可调性。该方法论策略可扩展到其他几种二维材料如germanene和stanene，并可能为在纳米等离激元应用中寻找更优系统开辟途径。
引用
@article{arxiv.1510.01504,
title = {Feature-rich electronic excitations in external fields of 2D silicene},
author = {Jhao-Ying Wu and Szu-Chao Chen and Godfrey Gumbs and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.01504},
year = {2015}
}