光激发半导体中的动态铁磁邻近效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
理论上处理了与铁磁体接触的半导体中光激发载流子的自旋动力学，并与时间分辨法拉第旋转实验进行了比较。研究发现，系统的长时间响应由最初的几十皮秒决定，在此期间，激发等离子体与半导体和铁磁体之间的本征界面发生强烈相互作用，尽管在平衡状态下存在肖特基势垒。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310031,
title = {Dynamic ferromagnetic proximity effect in photoexcited semiconductors},
author = {Gerrit E. W. Bauer and Arne Brataas and Yaroslav Tserkovnyak and Bertrand I. Halperin and Maciej Zwierzycki and Paul J. Kelly},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310031},
year = {2009}
}