双扭曲少层石墨中的双重莫尔平带

我们研究双扭曲少层石墨（DTFLG）的电子结构，其由三层少层石墨（FLG，即ABA堆垛石墨烯多层）以两个扭转角堆叠而成。根据两个扭转角的旋转方向，我们考虑两类DTFLG：交替扭曲情形与手性扭曲情形。我们表明，一旦DTFLG的中间FLG不少于三层，两类DTFLG均可在E_f处显著承载两对简并莫尔平带（MFBs），为魔角扭转双层石墨烯（TBG）的两倍。DTFLG的双重MFBs导致E_f处态密度加倍，意味着比TBG强得多的关联效应。MFBs的简并可被垂直电场解除，且孤立MFBs具有非零谷陈数。我们还揭示了DTFLG中MFBs的特殊波函数图样。我们的结果建立了一个在E_f处具有大得多态密度、从而可能强得多关联效应的莫尔系统新家族。