半导体B20化合物RuGe中掺杂诱导的磁性
材料科学
2018-03-16 v1
摘要
RuGe是一种抗磁性小带隙半导体，CoGe是一种非磁性半金属，二者均与Kondo绝缘体FeSi及斯格明子晶格宿主MnSi同构。本文中，我们探究了Co掺杂RuGe：RuCoGe的磁性与输运性质。对于较小的值，出现磁基态，其 5 9 K，并伴随电阻率的适度下降以及表明类电子电荷载流子的塞贝克系数。磁化强度、磁电阻与比热容均类似于相似Co替代水平下的FeCoSi，表明RuCoGe具有同样有趣的磁性与电荷载流子输运性质。
引用
@article{arxiv.1803.05585,
title = {Doping-induced magnetism in the semiconducting B20 compound RuGe},
author = {Mojammel A. Khan and D. P. Young and P. W. Adams and D. Browne and D. M. Gautreau and W. Adam Phelan and Huibo Cao and J. F. DiTusa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.05585},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 10 figures