具有有限程吸引相互作用的单带与多带超导体中的$T_c$穹顶

在调节载流子密度或压力、磁场等外部参数时，超导转变温度$T_c$的升降在广泛量子材料中普遍观测到。为研究此类$T_c$穹顶，我们超越典型的吸引Hubbard模型，考虑一个通过瞬时、空间延展的吸引相互作用耦合的电子晶格模型。通过数值求解平均场方程，以及使用泛函重整化群方法超越平均场理论，我们发现对于特征相互作用范围$\ell$，在$k_F \ell \! \sim \! {\mathcal{O}}(1)$附近存在$T_c$穹顶。对于多带系统，我们的平均场理论显示了在Lifshitz转变附近存在额外穹顶。我们的结果在二维和三维均成立，并可由费米面与相互作用范围之间的几何关系直观理解。我们的模型可能与稀薄弱耦合超导体或工程化冷原子系统中的$T_c$穹顶相关。