Se 空位会对单层 FeSe 进行电子掺杂吗？
超导电性
2014-02-04 v2 无序系统与神经网络
摘要
继发现单层 FeSe 中可能存在非常高温的超导电性之后，我们研究了这些材料中 Se 空位的掺杂效应。我们发现 Se 空位将一个以空位为中心的轨道拉至费米能级以下，该轨道吸收了大部分掺杂电子。此外，我们发现无序引起的展宽导致了有效的空穴掺杂。令人惊讶的净结果是，就能带结构而言，Se 空位表现为空穴掺杂剂而非电子掺杂剂。我们的结果排除了 Se 空位作为角分辨光电子能谱测量到的大电子袋起源的可能性。
引用
@article{arxiv.1307.0140,
title = {Do Se vacancies electron dope monolayer FeSe?},
author = {Tom Berlijn and Hai-Ping Cheng and P. J. Hirschfeld and Wei Ku},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.0140},
year = {2014}
}