驱动量子比特的耗散动力学：从弱耦合到强耦合区中非绝热动力学与噪声效应的相互作用
量子物理
2019-07-24 v1
摘要
我们研究了量子比特耗散动力学的薛定谔方程的精确解，该解通过短迭代Lanczos方法（SIL）获得，使我们能够描述从弱耦合到强耦合区的量子比特与浴动力学。我们关注两个与环境接触的量子比特模型：第一个是自旋玻色模型（SBM），它用静态隧穿能和偏置场描述量子比特。第二个模型描述外部驱动量子比特，其中偏置场和隧穿率均由遵循有限时间协议的时间依赖磁场控制。我们表明，在SBM情形下，我们的解正确描述了在Toulouse点处发生的磁化从相干到非相干行为的 crossover。此外，我们表明浴响应在系统动力学过程中剧烈变化，从短时间处的非共振行为到长时间处的共振行为。当存在外部驱动场时，对于固定的驱动时长，我们的结果表明浴可对协议的成功提供有益效应。我们发现了由外部驱动引起的协议非绝热性与耗散效应之间复杂的相互作用的证据，这强烈依赖于量子比特-浴相互作用的详细形式。
引用
@article{arxiv.1905.01762,
title = {Dissipative dynamics of a driven qubit: interplay between non-adiabatic dynamics and noise effects from weak to strong coupling regime},
author = {L. M. Cangemi and V. Cataudella and M. Sassetti and G. De Filippis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.01762},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 16 figures