量子寄存器中的耗散与退相干

借助 Born-Markov 主方程（ME）研究由与环境耦合的 $d$ 维量子系统（单元）的 $N$ 个复本构成的量子寄存器 $\cal R$ 的模型。在各种可严格求得亚退相干编码的情形下讨论耗散与退相干。对于量子比特情形（$d=2$），我们通过数值直接积分求解了小 $N$ 下的 ME，并作为浴相干长度 $\xi_c$ 的函数研究了寄存器态的保真度与退相干率。对于足够大的 $\xi_c$，寄存器整体 $su(2)$ 伪自旋代数的单态（在 $\xi_c=\infty$ 时无噪声）被证明具有比 Hilbert 空间其余部分小得多的退相干率。