耦合到受电报噪声影响的控制寄存器的量子比特中的部分退相干

一个量子比特（包含两个量子态1和2）耦合到一个控制寄存器（态3），该寄存器受到电报噪声的影响。我们研究从量子比特上某个相干态开始的电子的密度矩阵$\rho$的时间演化。在无限时间下，$\rho$通常趋近于完全退相干态，即$\rho^{}_{nm}=\delta^{}_{nm}/3$。然而，当哈密顿量在$1\leftrightarrow 2$下对称时，元素$\rho^{}_{12}$趋近于一个非零实数值，这意味着渐近态的部分相干性。渐近密度矩阵仅依赖于${\rm Re}[\rho^{}_{12}(t=0)]$。在若干情形下，存储在量子比特上的信息受到保护而免受噪声影响。