利用积累模式栅极传感器对硅量子点进行色散读出

灵敏的电荷检测实现了固态系统中的量子比特读出。最近，一种基于原位栅极探测器和射频色散读出技术的替代方案已经出现，以替代成熟的片上静电计电荷检测。这种方法有望通过消除对额外传感器件的需求来促进可扩展性。在此，我们对积累模式硅量子点执行基于栅极的色散读出。我们观察到，积累模式栅极探测器的响应受其偏置电压的显著影响，特别是当偏置电压超过电子积累阈值时。我们根据对色散响应的竞争性电容贡献讨论并解释了这些结果。