用于自旋量子比特可扩展基带读取的高输出摆幅传感点

量子计算的一个关键需求，尤其对于可扩展量子计算与纠错而言，是快速且高保真度的量子比特读取。对于半导体基量子比特，本地低功耗信号放大的一个限制因素是电荷传感器的输出摆幅。我们展示了专为提供相比传统电荷传感点显著改善的响应而设计的 GaAs 与 Si/SiGe 非对称传感点（ASDs）。我们的 ASD 设计具有与传感器点强解耦的漏极储库，从而缓解了传统传感器中发现的负反馈效应。这带来了 $3\,\text{mV}$ 的增强输出摆幅，超过我们器件在传统 regime 下响应的十倍以上。增强的输出信号为在量子比特近旁采用极低功耗读取放大器铺平了道路。