通过热氧化对高 Q 值硅微谐振器进行色散工程
光学
2015-06-19 v1
摘要
我们提出并展示了一种便捷且灵敏的技术，用于精确调控高 Q 值硅微谐振器中的群速度色散。通过精确控制硅微盘谐振器的表面氧化层厚度，我们能够精确管理零色散波长，同时进一步提高器件的高光学质量，使其光学 Q 值接近一百万。所展示的色散管理使我们能够实现具有可精确设计发射波长的参量产生，这在集成硅非线性光学和量子光子学应用中显示出巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1405.1224,
title = {Dispersion engineering of high-Q silicon microresonators via thermal oxidation},
author = {Wei C. Jiang and Jidong Zhang and Nicholas G. Usechak and Qiang Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.1224},
year = {2015}
}