无序影响超导体 - 绝缘体转变处的量子临界输运
超导电性
2015-10-16 v2
摘要
我们分离了通量无序效应对量子磁场调谐的超导体到绝缘体转变 (BSIT) 临界点处输运的影响。实验采用了图案化为几何无序六角阵列的薄膜。每个单元的通量空间变化（在垂直磁场中增长）构成了通量无序。通量无序随磁场的增长限制了单个薄膜所表现出的 BSIT 数量，这是由于通量匹配效应所致。连续 BSIT 处的临界金属电阻随通量无序的增加而增长，这与其普适性的预测相反。这些结果为对一种普遍存在的量子相变的普适类中的无序效应进行受控研究打开了大门。
引用
@article{arxiv.1502.02749,
title = {Disorder Influences the Quantum Critical Transport at a Superconductor to Insulator Transition},
author = {H. Q. Nguyen and S. M. Hollen and J. Shainline and J. M. Xu and J. M. Valles},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.02749},
year = {2015}
}