无序效应对二维单谷电子气自旋磁化率的影响
强关联电子
2009-05-19 v1
摘要
从干净二维单谷(2D1V)电子气基态能量的量子蒙特卡洛(QMC)预测出发，我们估计了由实际器件（如AlAs量子阱和GaAs异质结构）中存在的散射源引起的能量修正。我们发现，在微扰论的最低（二阶）阶，非关联无序的效应是增强自旋磁化率，导致其最终发散。在Born近似能够再现实验迁移率的密度区域，微扰论给出的自旋磁化率预测与现有实验证据非常吻合。
引用
@article{arxiv.0905.2706,
title = {Disorder effect on the spin susceptibility of the two-dimensional one-valley electron gas},
author = {S De Palo and S Moroni and G Senatore},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.2706},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 3 figures, special issue article for the SCCS2008 conference (Camerino, Italy)