倾斜外尔/多外尔半金属平面霍尔装置中的方向依赖性电导
介观与纳米尺度物理
2025-04-14 v4 强关联电子
高能物理 - 理论
摘要
我们计算了由倾斜外尔半金属(WSMs)和多外尔半金属(mWSMs)构建的平面霍尔装置中的磁电导率张量,考虑了电磁场( 和 )与倾斜方向之间所有可能的相对取向。响应的非德鲁德部分源于所考虑的外尔半金属/多外尔半金属节点附近的非零贝里曲率。仅当存在非零倾斜时,我们在倾斜轴不垂直于 和 所张平面的装置中发现了线性于- 的项。出现线性于- 项的优势在于,与可能贡献于实验观测的各种 依赖项不同,它们纯粹具有拓扑起源,并且在实际参数范围内主导整体响应特征。这些项的重要特征是:(1) 当考虑其对 和 之间夹角 的依赖性时,它们将响应的周期性从 变为 ;(2) 当相对于 的情况进行测量时,它们导致电导率随 发生整体符号变化。
引用
@article{arxiv.2402.10203,
title = {Direction-dependent conductivity in planar Hall set-ups with tilted Weyl/multi-Weyl semimetals},
author = {Rahul Ghosh and Ipsita Mandal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.10203},
year = {2025}
}
备注
some typos/errors involving units and parameter-values corrected; corrigendum appears at https://doi.org/10.1088/1361-648X/adc866