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倾斜外尔/多外尔半金属平面霍尔装置中的方向依赖性电导

介观与纳米尺度物理 2025-04-14 v4 强关联电子 高能物理 - 理论

摘要

我们计算了由倾斜外尔半金属(WSMs)和多外尔半金属(mWSMs)构建的平面霍尔装置中的磁电导率张量,考虑了电磁场(E\mathbf E B\mathbf B )与倾斜方向之间所有可能的相对取向。响应的非德鲁德部分源于所考虑的外尔半金属/多外尔半金属节点附近的非零贝里曲率。仅当存在非零倾斜时,我们在倾斜轴不垂直于 E\mathbf E B \mathbf B 所张平面的装置中发现了线性于-B | \mathbf B| 的项。出现线性于-B | \mathbf B| 项的优势在于,与可能贡献于实验观测的各种 B2| \mathbf B|^2 依赖项不同,它们纯粹具有拓扑起源,并且在实际参数范围内主导整体响应特征。这些项的重要特征是:(1) 当考虑其对 E\mathbf E B\mathbf B 之间夹角 θ\theta 的依赖性时,它们将响应的周期性从 π\pi 变为 2π2\pi;(2) 当相对于 B=0\mathbf B =0 的情况进行测量时,它们导致电导率随 θ\theta 发生整体符号变化。

关键词

引用

@article{arxiv.2402.10203,
  title  = {Direction-dependent conductivity in planar Hall set-ups with tilted Weyl/multi-Weyl semimetals},
  author = {Rahul Ghosh and Ipsita Mandal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2402.10203},
  year   = {2025}
}

备注

some typos/errors involving units and parameter-values corrected; corrigendum appears at https://doi.org/10.1088/1361-648X/adc866