聚焦离子束直写沉积的7 K超导C-Ga-O纳米线
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1 超导电性
摘要
我们通过镓聚焦离子束诱导沉积，以碳基前驱体菲为原料，制备了 C-Ga-O 纳米线。该纳米线的电导率在 300 K 以下对温度依赖较弱，并显示出在 K 以下向超导态的转变。我们测量了上临界场 的温度依赖性，并估算出零温临界场为 8.8 T。该材料的 比任何其他直写纳米线（例如基于 C-W-Ga 的纳米线）高出约 40%，这拓展了制备在液氦温度以上超导的直写纳米结构的可能性。
引用
@article{arxiv.1006.2173,
title = {Direct-write, focused ion beam-deposited,7 K superconducting C-Ga-O nanowire},
author = {Pashupati Dhakal and G. McMahon and T. Kirkpatrick and J. I. Oh and M. J. Naughton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.2173},
year = {2015}
}
备注
Accepted for APL