杂化氧化锡/有机界面态填充的直接观测
材料科学
2019-05-22 v2 软凝聚态物质
摘要
金属氧化物/有机II型异质结处杂化电荷转移激子的电致发光(EL)光谱表现出显著的偏压诱导谱移。该现象的原因一直存在争议，既有电场诱导效应的论点，也有氧化物表面陷阱态填充的论点。在此，我们结合EL和光伏测量结果，以消除串联电阻的掩盖效应。对于SnOx与共轭聚合物MeLPPP的组合，我们发现EL峰的蓝移与杂化异质结处准费米能级分裂的增加之间存在一一对应关系，我们明确将其归因于态填充。我们的数据最符合考虑指数态密度与掺杂半导体相结合的模型。
引用
@article{arxiv.1811.05880,
title = {Direct observation of state-filling at hybrid tin oxide/organic interfaces},
author = {Ulrich Hörmann and Stefan Zeiske and Soohyung Park and Thorsten Schultz and Sebastian Kickhöfel and Ullrich Scherf and Sylke Blumstengel and Norbert Koch and Dieter Neher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.05880},
year = {2019}
}