高度取向热解石墨（HOPG）中等离子体诱导对称性破缺导致的二次电子发射

利用关联电子对的双粒子谱学建立了二次电子能谱、$(\pi+\sigma)-$等离子体峰与高度取向热解石墨未占据能带结构之间的因果联系。等离子体谱按所涉及的带间跃迁分解，并清晰地展现出末态效应，特别是由于沿 $\Gamma$A 方向的层间共振之间的能隙所致。相应的末态效应也可在二次电子能谱中识别。结果的解释基于密度泛函理论和紧束缚计算。等离子体的激发扰动系统的对称性，并导致层间共振沿 $\Gamma A$ 方向与类原子的 $\sigma^*$ 能带杂化。这些杂化态具有高密度态以及沿石墨 $c$ 轴足够的迁移率，从而导致了文献中广泛报道的发射二次电子能谱中尖锐的 $\sim$3\ eV 共振。