3+1维中的膨胀型拓扑缺陷及其嵌入

我们考虑了3+1维中允许拓扑缺陷的拉格朗日量，其中缺陷标量场$\Phi$与规范场动能项之间存在额外耦合(例如$B(\vert \Phi \vert^2) F_{\mu \nu}F^{\mu \nu}$)。在静态缺陷背景下，这种膨胀耦合会诱导出空间依赖的有效规范电荷和标量场有效质量，从而改变缺陷核心的性质。特别是，核心的尺度被修改，同时相应嵌入缺陷的稳定性性质也受到影响。这些修改通过规范(尼尔森-奥勒森)涡旋和规范('t Hooft-Polyakov)磁单极进行了说明。还研究了在外规范场存在下的相应膨胀型整体缺陷。