一维Hubbard模型在带隙中所有有限温度下的扩散电荷输运
强关联电子
2025-07-04 v1
摘要
基于流体动力学理论和Kardar-Parisi-Zhang（KPZ）标度的研究发现，在一维Hubbard模型中，对于所有温度T > 0，自旋和电荷输运在零磁场h = 0和零化学势μ = 0时分别表现为反常超扩散。然而，这与近期精确结果相矛盾，后者表明在极低温度下电荷输运是正常扩散的。在本快报中，我们识别了控制h = 0自旋和μ = 0电荷输运不同温度依赖性的机制，并发现后者在所有有限温度T > 0下均为正常扩散，这与流体动力学理论和KPZ标度预测相反。
引用
@article{arxiv.2507.02753,
title = {Diffusive charge transport in the gapped 1D Hubbard model at all finite temperatures},
author = {J. M. P. Carmelo and P. D. Sacramento},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.02753},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 2 figures plus Supplementary Material