通过环流共振确定 InMnAs 中的载流子浓度
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
通过室温测量确定 InMnAs 中的载流子浓度受到异常霍尔效应的阻碍，因此正在寻求替代方法。本文提出环流共振（CR）是 InMnAs 基磁性结构确定载流子浓度的优异方法。我们发展了针对狭缝 InMnAs 薄膜和超晶格在 [001] 方向的电子和磁光性质的理论。对于 n 型 InMnAs 薄膜和超晶格，我们发现 e 活性 CR 峰场在低电子浓度时被固定，然后在临界电子浓度以上迅速偏移到更高场，从而允许对电子浓度进行准确校准。对于 p 型 InMnAs，我们观察到由于重空穴和轻空穴导致的两个 h 活性 CR 峰。线形状取决于温度和线宽。轻空穴 CR 需要更高的空穴浓度和场。分析 p 型薄膜和超晶格中的 CR 线形可以帮助确定空穴浓度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307653,
title = {Determining carrier densities in InMnAs by cyclotron resonance},
author = {G. D. Sanders and Y. Sun and C. J. Stanton and G. A. Khodaparast and J. Kono and D. S. King and Y. H. Matsuda and S. Ikeda and N. Miura and A. Oiwa and H. Munekata},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307653},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures