利用多参考密度泛函理论确定 Mott 绝缘体转变
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
研究表明，将动量提升技术应用于扩展 Kohn-Sham 方案，可实现对 Mott 绝缘体转变的计算确定。通过由多参考密度泛函理论定义的第一性原理计算，给出了关联电子系统的自洽解，其中有效短程相互作用可通过涨落参考法确定。为了以第一性原理方式定义动量提升技术，我们对 Harriman 构造进行了扩展以适用于扭曲边界条件。对于一个有效半满带系统，动量提升方法指出，LDA 计算得到的金属基态周期缩短至绝缘相的最小周期，表明发生了 Mott 绝缘体转变。
引用
@article{arxiv.0707.2704,
title = {Determination of the Mott insulating transition by the multi-reference density functional theory},
author = {K. Kusakabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.2704},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 1 figure, to appear in J. Phys. Condens. Matter