基于第一性原理设计量子自旋霍尔绝缘体的面内异质结：含吸附物的 1T'-MoS2
材料科学
2019-08-30 v1
摘要
普通绝缘体与拓扑绝缘体之间的界面必然存在受时间反演对称性保护的金属态，因此对无序和界面重构具有鲁棒性。二维拓扑绝缘体（量子自旋霍尔绝缘体）提供了一种独特的机会，可以通过吸附原子或分子来改变局部拓扑，从而构成了设计拓扑异质结的理想平台。在这里，我们应用第一性原理计算表明，量子自旋霍尔绝缘体 1T'-MoS2 在吸附各种原子后会表现出向平庸绝缘体的相变。随后证明，在具有吸附氧和无吸附氧交替区域的一维带状几何结构中，确实出现了一维金属边界态，并且这些边界态通常构成价带和导带之间简单的线性连接。这与通常表现出强烈色散且对特定边缘终止敏感的拓扑边缘态形成鲜明对比。该异质结也启示了在 1T'-MoS2 片层中设计一维金属网络的简单方法。
引用
@article{arxiv.1609.02338,
title = {Designing in-plane heterostructures of quantum spin hall insulators from first principles: 1T'-MoS2 with adsorbates},
author = {Thomas Olsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.02338},
year = {2019}
}
备注
9 pages