美因茨微tron MAMI 上 500 MeV 正电子束的设计研究
加速器物理
2022-09-14 v1
摘要
我们针对在美因茨微tron MAMI 的应用物理区实现的能量为 500 MeV 的正电子束进行了设计研究。正电子将由 MAMI 的 855 MeV 电子束在钨转换靶中产生的轫致辐射经对产生后产生。在两种可设想的几何结构（i）在轫致辐射转换靶自身中对产生，以及（ii）在分离铅箔中轫致辐射对产生中，前者被详细考虑。正电子将在外部开放式电子束线弯曲磁体中完成能量选择，并由附加扇形磁铁弯回。其间的磁聚焦元件设计用于在距靶约 6 m 且良好屏蔽的正电子靶室中，为 10 微米厚非晶钨靶和可忽略动量分散制备水平与垂直发射度分别为 epsilon_v = 0.055 pi mm mrad（1 sigma）和 epsilon_h = 0.12 pi mm mrad（1 sigma）的束流。在 1 MeV 接受正电子带宽下，预期垂直方向斑点角散度为 0.064 mrad、尺寸为 5.0 mm（FWHM），水平方向角散度为 0.64 mrad、尺寸为 7.7 mm（FWHM）。正电子产额为每秒 13.1 个（1 MeV 正电子能带宽、1 nA 电子束流）。
引用
@article{arxiv.2205.12613,
title = {Design study for a 500 MeV positron beam at the Mainz Microtron MAMI},
author = {H. Backe and W. Lauth and P. Drexler and P. Heil and P. Klag and B. Ledroit and F. Stieler},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.12613},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 16 figures, submitted to The European Physical Journal D (EPJD)