基于 GaAs 的具有超高频多重完全声子带隙的谷声子晶体设计
介观与纳米尺度物理
2019-03-05 v1
摘要
我们报道了基于 GaAs 的整体式谷声子晶体(VPnCs)的设计,其具有多重完全声子带隙,并在吉赫兹(GHz)范围内支持具有不同对称性的同时谷保护边缘态。单元胞中三角形孔的旋转打破了镜面对称性,这一取向自由度使结构呈现出不同的谷涡旋手性。我们数值演示了在多带谷保护边缘态的传输中,在不同 VPnCs 之间界面的尖角处背向散射受到抑制。此类整体式半导体结构为利用光刻技术的超高频拓扑纳米声子应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1901.01407,
title = {Design of GaAs-based valley phononic crystals with multiple complete phononic bandgaps at ultra-high frequency},
author = {Ingi Kim and Yasuhiko Arakawa and Satoshi Iwamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.01407},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 5 figures