用于CLIC顶点探测器的电容耦合HV-CMOS传感器芯片的设计与独立表征
仪器与探测器
2017-10-06 v2
摘要
传感器与读出芯片之间的电容耦合概念正在被研究，用于拟建的高能CLIC电子正电子对撞机的顶点探测器。CLICpix电容耦合像素探测器（C3PD）是一种有源高压CMOS传感器，设计为与CLICpix2读出芯片电容耦合。该芯片采用商用180 nm HV-CMOS工艺实现，包含128x128个间距为25 um的方形像素。首批原型采用标准电阻率约20 Ohm·cm的衬底制造，并在独立模式下测试。结果显示上升时间约20 ns，电荷增益190 mV/ke-，约40 e- RMS噪声，功耗为4.8 uW/像素。文中介绍了主要设计方面以及独立测量结果。
引用
@article{arxiv.1706.04470,
title = {Design and standalone characterisation of a capacitively coupled HV-CMOS sensor chip for the CLIC vertex detector},
author = {I. Kremastiotis and R. Ballabriga and M. Campbell and D. Dannheim and A. Fiergolski and D. Hynds and S. Kulis and I. Peric},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.04470},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 13 figures, 2 tables. Work carried out in the framework of the CLICdp collaboration