平行沟道纳米冷冻管在磁场中的设计与性能

我们介绍了一种对低温三端开关——纳米冷冻管(nTron)——传统几何结构的设计改进。传统 nTron 几何结构通过引入平行载流沟道进行了修改，该方法旨在增强器件在磁场环境中的性能。nTron 技术中的常见挑战是在变化的磁场条件下维持高效运行。本文表明，采用平行沟道配置可提升栅极信号灵敏度、增加工作增益，并降低超导涡旋对高达 1 Tesla 磁场中 nTron 运行的影响。与受有效沟道宽度限制的传统设计不同，平行纳米线沟道允许更大的 nTron 截面，在因局部电感降低而改善电热恢复时间的同时，进一步增强器件的磁场韧性。nTron 设计的这一进展不仅增强了其在磁场中的功能，也拓宽了其在技术环境中的适用性，为现有 nTron 器件提供了一种简单的设计替代方案。