新型 Kagome 材料 Ce$_{2}$Ru$_{3}$Si 中的密度波类行为

具有内在几何挫折的 Kagome 材料可产生许多有趣的物理性质，如平带、量子自旋液体、手性磁性、超导性和密度波序。有时，来自 Ce 原子的定域 4$f$ 电子与其他传导电子耦合，也会在费米面附近产生平带，从而形成重费米子。因此，掺杂 Ce 元素的 Kagome 材料极有可能展现出非平凡的物理性质。本研究报道了一种属于三元 Laves 相的新型 Kagome 材料 Ce$_{2}$Ru$_{3}$Si，其 Kagome 平面由 Ru 原子构成。电输运和比热测量揭示了一个密度波类相变。在低温区观测到居里-魏斯行为。同时我们也发现了一个相对较大的比热系数 $\gamma_{n}(0)$。计算得到的威尔逊比 $R_\mathrm{W}\propto{\chi(0)/\gamma_{n}}$ 约为 3.1，表明存在中等强度的电子关联效应。在 Ru 位掺杂 Ir 会迅速抑制这种密度波类相变，而掺杂 Mo 则导致相变温度逐渐下降。理论计算表明，Ce-4$f$ 和 Ru-4$d$ 电子能带均穿过费米面，在费米能附近形成墨西哥帽形费米面，这可能解释了观测到的密度波类相变。我们的发现为研究 4$f$ 和 4$d$ 电子杂化如何影响电子输运，以及密度波相变与 Kagome 结构之间的关系提供了一个有用的平台。