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石墨烯中的缺陷:一种拓扑描述

介观与纳米尺度物理 2023-08-16 v2

摘要

特定类型的空间缺陷或势可以将单层石墨烯转变为拓扑材料。这些拓扑缺陷按空间维度DD分类,并且通过哈密顿量的符号H(k,r)\mathcal{H} (\boldsymbol{k}, \boldsymbol{r}) 系统性地得到,该算符推广了Bloch哈密顿量并包含所有拓扑信息。当应用于Dirac算符时,此方法可恢复绝缘体与超导体的十重分类。稳定Z\mathbb{Z}-拓扑的存在性被预测为对维度DD的一个条件,类似于热力学相变中缺陷的分类。Kekule畸变、空位和吸附原子在石墨烯中被提议作为此类缺陷的示例,并讨论了它们的拓扑等价性。

关键词

引用

@article{arxiv.2304.08905,
  title  = {Defects in Graphene : A Topological Description},
  author = {Amit Goft and Yuval Abulafia and Nadav Orion and Claude L. Schochet and Eric Akkermans},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2304.08905},
  year   = {2023}
}

备注

11 pages