六方氮化硼中与缺陷相关的光致发光
光学
2008-10-23 v1 材料科学
摘要
通过时间和能量分辨光谱方法测量了多晶六方氮化硼(hBN)的光致发光。观察到的谱带与施主-受主对(DAP)跃迁、杂质和结构缺陷有关。用高于5.4 eV的高能光子激发样品能够实现光致发光(PSL)现象，这是由于远距离俘获的导带电子和价带空穴所致。这些俘获电荷是亚稳态的，用低能光子重新激发它们会导致反斯托克斯光致发光。光致发光激发光谱与PSL激发光谱的比较允许进行能带分析，这支持了hBN中存在具有大结合能的类Frenkel激子的假说。
引用
@article{arxiv.0810.3989,
title = {Defect-related photoluminescence of hexagonal boron nitride},
author = {Luc Museur and Feldbach Eduard and A. V. Kanaev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.3989},
year = {2008}
}