缺陷诱导的 Sb2Te3 合金结构与热电性质
材料科学
2015-07-14 v1
摘要
报道了金属性和半导体性 Sb2Te3 的结构与热电性质。X 射线衍射和拉曼光谱研究揭示，半导体样品具有更高的缺陷密度。强调了可能缺陷的性质与起源。半导体性 Sb2Te3 容纳更多缺陷，这些缺陷充当散射中心，导致电阻率、热电势和功率因子的值增加。热电势数据表明合成样品为 p 型。证实了表面态常与体态混合，导致 Sb2Te3 呈现金属性。讨论了不同散射机制对 Sb2Te3 热电性质的作用。
引用
@article{arxiv.1507.03337,
title = {Defect induced structural and thermoelectric properties of Sb2Te3 alloy},
author = {Diptasikha Das and K. Malik and A. K. Deb and Sandip Dhara and S. Bandyopadhyay and Aritra Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.03337},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in J. Applied Physics