缺陷诱导的石墨烯费米能级钉扎及双极行为的抑制
介观与纳米尺度物理
2014-10-17 v1
摘要
我们报告了对低偏压下无序石墨烯纳米线中电子输运的系统研究。我们揭示了当缺陷浓度超过 0.3% 时单极输运的出现，此时在 n 型通道上观察到近乎绝缘的行为，而在 p 型通道上观察到金属行为。电导显示出贯穿狄拉克点上方整个一侧（n 型）的平台，且电导率与狄拉克点处的最小电导率重合。最小电导率随缺陷浓度的增加而降低，表明无序样品中不存在零能模。拉曼光谱和 X 射线光电子能谱被用于探测氦离子辐照产生的缺陷性质，揭示了氧 - 碳键的存在以及从 C KLL 俄歇谱中发现的 构型。观察到的行为归因于氦离子轰击石墨烯晶格中的碳原子发生溅射而产生的悬空键。这些悬空键充当电荷陷阱，将费米能级钉扎在狄拉克点。
引用
@article{arxiv.1410.4400,
title = {Defect-induced Fermi level pinning and suppression of ambipolar behaviour in graphene},
author = {Zakaria Moktadir and Shuojin Hang and Hiroshi Mizuta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.4400},
year = {2014}
}