基于二维杂化有机-无机低维钙钛矿半导体缺陷变体的深蓝光发光二极管
材料科学
2018-03-05 v1
摘要
二维杂化有机-无机半导体（HOIS）是低成本、自组装的半导体，由于其在室温下固有的稳定激子，已被证明对新型光电子器件至关重要。二维 HOIS 相对于三维类似物具有化学稳定性，但其固有的各向异性使其在包括电致发光（EL）器件在内的器件中实现复杂化。我们报道了一种新型二维 HOIS，(4-氟苯乙胺-H)2PbBr4，及其缺陷变体（DVs）的合成、表征、阴极发光和 EL。后者与原始材料相反，首次允许通过在高导电阳极基底上涂覆 DVs 并使用 Ga/In 液滴阴极来简单制备原型蓝色 EL 器件。DVs 的优化可带来改进的光发射器件（LED），此处的工作有望为利用 HOIS DVs 提供动力，因为它们与工业规模合成兼容。与原始碘类似物（其薄膜 readily 提供 EL）相反，只有 DVs 或与 MoS2 纳米片晶的混合物在仔细沉积后才提供 EL。这些表现出破坏微米级二维 HOIS 片晶（通常平行于基底排列）的平面非导电性质的缺陷，从而提供电流流动的机制。最后，与未改性胺相比，氟改性胺的选择由于胺尾之间的排斥增强了 DVs 作为 LED 材料的功能，导致弱结合的稳定修饰二维无机片层。
引用
@article{arxiv.1803.00863,
title = {Deep-blue light emitting diode based on defect variations of a 2D hybrid organic-inorganic low dimensional perovskite semiconductor},
author = {Ioanna Vareli and Anastasia Vassilakopoulou and Ioannis Koutselas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.00863},
year = {2018}
}
备注
26 pages, 9 figures