铜基超导体、κ-(BEDT-TTF)₂X 及耦合链 Hubbard 模型中的 d 波与 p 波量子液晶序:泛函重整化群分析

无自旋序的非常规对称性破缺,例如旋转对称性破缺(=向列或层列)序以及自发的环路电流序,近来已在铜基超导体及其相关材料中得到报道。它们在理论上由自能中的非 $A_{1g}$ 对称性破缺表示,我们称之为形状因子 $f_{k,q}$。本文中,我们应用重整化群(RG)方法分析典型的 Hubbard 模型,发现由于自旋涨落之间的量子干涉会出现各种非常规有序。由于该机制,具有 $d$ 波形状因子 $f_{k,q}\propto \cos k_x - \cos k_y$ 的向列($q=0$)和层列($q \ne 0$)键序在铜基材料和 $\kappa$-(BEDT-TTF)$_2$X 中均会出现。所导出的键序自然地解释了这些化合物中的赝能隙行为。该量子干涉还诱导出具有奇宇称形状因子的各种电流序。例如,我们在几何受阻 Hubbard 模型中发现了具有 $p$ 波形状因子的电荷与自旋环路电流序的出现。因此,在许多低维 Hubbard 模型中,由顺磁子干涉驱动了具有 $d$ 波和 $p$ 波形状因子的丰富量子相变。