CVD 制备 MgB2 导体的工艺路线
超导电性
2016-08-31 v1 材料科学
摘要
描述了用于开发镁二硼导线的加工方法，采用化学气相沉积（CVD）制备长度适当掺杂的起始硼纤维。发现钛可以与硼共沉积，以制造含有 TiB 和 TiB2 的长掺杂纤维。当该纤维在镁蒸气中反应以将硼转化为 MgB2时，所制成的导体在 5K 和自场下临界电流密度约为 5×10^6 A/cm²。在 25K 和 1 特斯拉时，临界电流密度为 10,000 A/cm²。利用光学方法定义晶粒边界，并利用能量色散 X 射线确定 Ti 和 Mg 的浓度，这些样品显示 Ti 在整个晶粒中均匀分布，且在 MgB2 晶界上没有明显的 TiB2 析出。这与采用 Ti、Mg 和 B 粉末固态反应制样时在 MgB2 晶界上析出 TiB2 的情况形成鲜明对比。在 MgB2 中引入 Ti 杂质的 CVD 制沉积方式，导致与粉末固态反应不同的 TiB2 分布。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302242,
title = {CVD routes to MgB2 conductors},
author = {D. K. Finnemore and W. E. Straszheim and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield and N. E. Anderson and R. J. Suplinskas},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302242},
year = {2016}
}
备注
14 pages and 10 figures. submitted to Physica C