具有CoFeB/Ru/CoFeB合成亚铁磁自由层的MgO势垒磁隧道结中电流诱导的磁化翻转
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们报道了在具有 Co40Fe40B20(2nm)/Ru(0.7-2.4nm)/Co40Fe40B20(2nm) 合成亚铁磁 (SyF) 自由层的 MgO 基磁隧道结中，电流诱导磁化翻转的固有临界电流密度 (Jc0) 和热稳定性因子 (E/kBT，其中 E、kB 和 T 分别是能量势垒、玻尔兹曼常数和温度)。我们表明，通过使用考虑热涨落的 Slonczewski 模型分析平均临界电流密度作为矫顽力的函数，可以确定 Jc0 和 E/kBT。我们发现，SyF 自由层中两个 CoFeB 层之间的高反铁磁耦合导致 Jc0 降低，而不会降低高 E/kBT。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609306,
title = {Current-induced magnetization switching in MgO barrier based magnetic tunnel junctions with CoFeB/Ru/CoFeB synthetic ferrimagnetic free layer},
author = {Jun Hayakawa and Shoji Ikeda and Young Min Lee and Ryutaro Sasaki and Toshiyasu Meguro and Fumihiro Matsukura and Hiromasa Takahashi and Hideo Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609306},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 4 figures. Jpn. J. Appl. Phys., in press