碳纳米管自旋 - 谷值阻塞中的电流热点
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v2
摘要
我们对直碳纳米管中定义的双量子点内的自旋 - 谷值阻塞 (spin-valley blockade) 输运效应进行了理论研究。我们发现，由于短程杂质引起的谷间散射完全消除了自旋 - 谷值阻塞，并在外部磁场矢量的某个受限范围内诱导了大的漏电流。该电流热点的出现是由于作用于两个量子点的自旋 - 谷值量子比特态的有效磁场不同所致。我们将我们的预测与最近的测量结果 [F. Pei 等人，Nat. Nanotech. 7, 630 (2012)] 进行了比较。我们讨论了其对基于阻塞的量子比特初始化/读取方案以及基于纳米管的机械谐振器运动传感的影响。
引用
@article{arxiv.1309.5224,
title = {Current hot spot in the spin-valley blockade in carbon nanotubes},
author = {Gábor Széchenyi and András Pályi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.5224},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures