碳纳米管量子点 (1e,1h) 态的电子结构
介观与纳米尺度物理
2016-04-13 v1
摘要
我们提供了限制在半导体碳纳米管中定义的双极（n-p）双量子点中的少数载流子的原子级紧束缚描述。我们将注意力集中在系统的电荷态上，其中观察到电流流的泡利阻塞 [F. Pei et al., Nat. Nanotechnol. 7, 630 (2012); E. A. Laird et al., ibid 8, 565 (2013)]，在 n-dot 中具有单个多余电子，在 p-dot 中具有单个空穴。我们使用构型相互作用方法确定中性点附近状态的自旋-谷结构，并讨论其对点间交换相互作用、能谱简并度和受限态对称性的影响。我们计算了解除泡利阻塞的跃迁能量，并分析了它们对磁场矢量的依赖性。此外，我们引入了纳米管的弯曲，并证明了其对跃迁能谱的影响。与实验数据的最佳定性一致出现在载流子限制所在的栅极区域中偏转的纳米管中。
引用
@article{arxiv.1604.03442,
title = {Electronic structure of (1e,1h) states of carbon nanotube quantum dots},
author = {E. N. Osika and B. Szafran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.03442},
year = {2016}
}