Mn12 团簇单晶中的晶体缺陷与自旋隧穿
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
本文探讨的问题是位错密度对 Mn12 团簇中自旋隧穿的影响。我们通过分析低角 X 射线衍射峰的展宽，测定了新鲜与热处理后的 Mn12 单晶晶格结构镶嵌度的变化。等温磁化与弛豫实验均充分证实，存在一个宽分布的隧穿率，且该分布随位错密度的增加向高隧穿率方向偏移。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110515,
title = {Crystal defects and spin tunneling in single crystals of Mn12 clusters},
author = {J. M. Hernandez and F. Torres and E. Molins and J. Tejada},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110515},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 3 figures