Mn-12乙酸盐晶体中的位错驱动自旋隧穿
统计力学
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
我们指出，位错应是Mn-12晶体管中自旋隧穿的主要来源。由于位错引起的长程应变，导致松弛时间分布呈现宽广分布，这在许多实验中都有所观察。当外部磁场沿晶体的c轴施加时，由于位错引起的磁各向异性轴的局部旋转，形成有效的局部横向磁场，从而解除奇数隧穿共振态的锁定。我们推导出一种描述所有隧穿共振态的尺度律，提供了普遍的自旋隧穿描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105195,
title = {Spin tunneling via dislocations in Mn-12 acetate crystals},
author = {E. M. Chudnovsky and D. A. Garanin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105195},
year = {2009}
}
备注
4 Phys. Rev. pages, 4 figures