低维结构中的交叉区域
介观与纳米尺度物理
2013-08-05 v1
摘要
现代生长和制备技术可以在交叉区域产生低维结构。处于交叉区域的此类结构可提供各种性质的可调性。例如，一个从零维 (0-D) 结构向二维 (2-D) 结构演化的系统，其电子结构既不像 0-D 也不像 2-D。在交叉区域内，随着系统尺寸的变化，费米能级 () 处的电子态密度 (DOS) 持续变化。 处的 DOS 决定了材料的许多性质，如电子比热、自旋磁化率等。鉴于 处 DOS 的重要性，我们在简单的自由电子模型中，确定了金属低维结构在 0-D 到 1-D、1-D 到 2-D、2-D 到 3-D、0-D 到 2-D、0-D 到 3-D 以及 1-D 到 3-D 交叉区域中的数值及其他电子结构细节。 wherever possible，我们将结果与分析理论及实验结果进行了比较。我们还展示了通过扫描隧道谱测量获得的关于 Si(111) 上从 0-D 演化为 2-D 结构的 Ag 岛的一些结果。这一简单模型对于理解交叉区域中的低维结构非常有用。
引用
@article{arxiv.1308.0471,
title = {Crossover regimes in lower dimensional structures},
author = {R. Batabyal and B. N. Dev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0471},
year = {2013}
}