硅中位错表面形核的临界应变
应用物理
2018-06-11 v2 材料科学
摘要
关于硅锗体系中位错表面形核所需临界应变，实验与原子模型之间长期存在分歧。虽然在失配应变小于4%的异质外延薄膜中 readily 观察到位错形核，但现有原子模型预测需要超过7.8%的临界应变才能克服位错形核的动力学势垒。利用零温能垒计算和有限温分子动力学模拟，我们表明三维表面特征（如急剧弯曲的台阶）可将shuffle-set位错的预测临界形核应变降至6.4%，将shuffle-glide位错复合体的预测临界形核应变降至5.3%。使用Stillinger-Weber (SW)和修正嵌入原子法(MEAM)势均得到一致结果，为shuffle-glide位错复合体的物理相关性提供了支持，该复合体此前被认为是SW势的人为产物。
引用
@article{arxiv.1806.01974,
title = {Critical Strain for Surface Nucleation of Dislocations in Silicon},
author = {Xiaohan Zhang and Wei Cai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01974},
year = {2018}
}