临界施温格对产生 II——深临界区中的普适性

Holger Gies; Greger Torgrimsson

临界施温格对产生 II——深临界区中的普适性

高能物理 - 理论 2017-02-08 v2 统计力学高能物理 - 唯象学

作者: Holger Gies , Greger Torgrimsson

摘要

我们研究由空间非均匀电场产生的电子-正电子对。取决于场的局域化，在场的构型空间中存在一个临界点（临界面），使得对产生概率消失。在临界性附近，对产生展现出类似于连续相变的普适性质。我们将先前在半经典（弱场）临界区获得的结果扩展到任意峰值场强的深临界区。在此区域内，我们发现增强的普适性，其特征是对于所有充分局域化的场具有唯一的临界指数 $\beta=3$ 。对于一大类场构型，我们还计算了非普适振幅。

关键词

施温格对产生电子-正电子对非均匀电场临界点普适性临界指数非普适振幅

引用

@article{arxiv.1612.00635,
  title  = {Critical Schwinger pair production II - universality in the deeply critical regime},
  author = {Holger Gies and Greger Torgrimsson},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1612.00635},
  year   = {2017}
}

备注

17 pages, 16 figures. Version 2: minor changes, matches journal version

临界施温格对产生 II——深临界区中的普适性

摘要

关键词

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