CrCTe$_3$：一种稳健二维反铁磁半导体的计算设计
材料科学
2017-08-02 v1
摘要
利用密度泛函理论计算，我们确定迄今未知的化合物 CrCTe 在 R 晶体结构中是一种具有间接基本带隙的稳定反铁磁半导体。块体化合物中连续的层通过范德华力弱结合，因此单层可以容易地剥离。CrCTe 的单层也是一种反铁磁半导体。该单层在较大压缩和拉伸应变范围内结构稳定，且反铁磁态在该应变范围内稳健。通过在此范围内施加应变，单层的带隙可调节多达 50%。
引用
@article{arxiv.1707.00878,
title = {CrCTe$_3$: Computational design of a robust two-dimensional anti-ferromagnetic semiconductor},
author = {Satyananda Chabungbam and Prasenjit Sen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.00878},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 11 figures