带电圆盘周围的逆离子密度分布：从弱关联到强关联区域
统计力学
2015-10-28 v2
摘要
我们针对具有带电边界的元胞模型中的二维单组分等离子体进行了全面研究。通过相互作用势的便捷近似，从弱耦合出发，我们获得了该问题的解析表述，推导出配分函数、密度分布、接触密度和积分分布，这些结果与蒙特卡洛模拟的数值数据吻合良好。此外，我们推导了 特殊情形的精确解，发现了弱耦合结果与精确解之间的对应关系。进而，我们考虑 Wigner 表述研究了强耦合区域。据此，我们获取了主导阶的分布，计算了接触密度值，并与基于接触定理的一项工作中的推导值进行了比较。我们为该体系恰当构建了不同于先前表述的强耦合区域。最终，我们计算了一阶修正，并将这些结果与模拟数值结果比较，获得了非常好的一致性；该结果在已知结果的平面极限下同样吻合良好。
引用
@article{arxiv.1502.05291,
title = {Counter-ion density profile around a charged disk: from the weak to the strong association regime},
author = {Juan Pablo Mallarino and Gabriel Tellez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.05291},
year = {2015}
}
备注
36 pages, 26 figures