半导体量子点中的库仑相关效应：维数性的作用
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们通过不同的理论方法（单站位 Hubbard 哈密顿量和 Hartree-Fock 哈密顿量）研究了小型三维（3D）和二维（2D）半导体量子点的能谱；在最小的量子点中，我们还与精确结果进行了比较。我们发现，纯 2D 模型常常导致对现实结构中库仑相互作用的描述不足，这是由于载流子局域化被高估的结果。我们指出，量子点的维数对（i）预测的添加谱的准确性；（ii）近似理论方案的有效范围具有决定性影响。对于实际的 3D 几何结构，后者在大多数量子点类中都比相应的 2D 情形更为准确；单站位 Hubbard 哈密顿量被证明能够有效且准确地描述量子点能谱，与实验结果良好一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812428,
title = {Coulomb correlation effects in semiconductor quantum dots: The role of dimensionality},
author = {Massimo Rontani and Fausto Rossi and Franca Manghi and Elisa Molinari},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812428},
year = {2009}
}
备注
LaTeX 2.09, RevTeX, 25 pages, 9 Encapsulated Postscript figures. To be published in Physical Review B