不规则六边形半导体壳层中电子的角落与边缘局域化
介观与纳米尺度物理
2019-09-04 v1
摘要
我们讨论了六边形环中的低能电子态。这些态对应于通常由 III-V 族半导体构成的、具有六边形截面的核壳纳米线中的横向模式。在对称结构的情况下,12 个最低态(包括自旋)局域在角落,而接下来的 12 个态主要局域在边缘。根据材料参数,特别是有效质量、环的直径和宽度,角落态与边缘态之间可能被一个可观的能隙隔开,范围从几 meV 到几十 meV。在实际制备过程中,几何不对称性是不可避免的,因此粒子并非对称地分布在所有角落和边缘区域之间。甚至可能微小的形变也会将基态的局域化转移到某一条边缘上。这些横向态或它们之间的跃迁可能在输运或光学实验中很重要。然而,迄今为止,关于核壳纳米线局域化依赖性质的实验研究仍然很少。
引用
@article{arxiv.1907.06764,
title = {Corner and side localization of electrons in irregular hexagonal semiconductor shells},
author = {Anna Sitek and Miguel Urbaneja Torres and Andrei Manolescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06764},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 10 figures