通过控制掺杂分布抑制 λ≈1330nm GaInAsP 发光二极管在低电流密度下的 SRH 复合
材料科学
2020-06-24 v1 应用物理
光学
摘要
通过裁剪掺杂的空间分布以抑制肖克利-里德-霍尔（SRH）复合，可显著增强双异质结发光二极管（LED）在低电流密度下的量子效率。为展示该效应，我们建模、设计、生长、制备并测试了一款具有非传统掺杂分布的 GaInAsP LED（ 1330nm）。与作为对照的传统 -- 双异质结 LED 相比，新设计在 - 异质结构附近的掺杂分布使内建电场发生偏移，从而抑制了 J02 空间电荷复合电流。该设计原理可推广至其他材料体系，并可能适用于在实际功率密度下观测和利用电致发光制冷的研究。
引用
@article{arxiv.2001.10948,
title = {Controlling the dopant profile for SRH suppression at low current densities in $\lambda \approx$ 1330nm GaInAsP light-emitting diodes},
author = {Parthiban Santhanam and Wei Li and Bo Zhao and Chris Rogers and Dodd Joseph Gray and Phillip Jahelka and Harry A. Atwater and Shanhui Fan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.10948},
year = {2020}
}