控制金属/Bi$_2$Se$_3$界面处二维电子气态的演化
材料科学
2015-03-25 v1
摘要
我们证明了在金属和模型拓扑绝缘体BiSe界面处的二维电子气（2DEG）系统的演化可以通过选择合适的金属元素种类和采用低温蒸发过程来控制。特别是，我们发现只有在Mn/BiSe界面处可以存在拓扑表面态（TSSs），这对于实现仅与表面电流通道的电接触将是有用的。通过角分辨光电子能谱（ARPES）确认了界面处仅存在TSSs。基于ARPES和芯能级X射线光电子能谱测量，我们提出了一个阳离子插层模型来解释我们的发现。
引用
@article{arxiv.1406.2048,
title = {Controlling the 2DEG states evolution at a metal/Bi$_2$Se$_3$ interface},
author = {Han-Jin Noh and Jinwon Jeong and En-Jin Cho and Joonbum Park and Jun Sung Kim and Ilyou Kim and Byeong-Gyu Park and Hyeong-Do Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.2048},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures